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参数目录41101
> SI1442DH-T1-GE3 MOSFET N-CH 12V D-S SOT-363
型号:
SI1442DH-T1-GE3
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Vishay Siliconix
描述:
MOSFET N-CH 12V D-S SOT-363
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
SI1442DH-T1-GE3 PDF
标准包装
1
系列
TrenchFET®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
20 毫欧 @ 6A. 4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
33nC @ 8V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1010pF @ 6V
功率 - 最大
2.8W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装
SC-70-6
包装
标准包装
其它名称
SI1442DH-T1-GE3DKR
查看SI1442DH-T1-GE3代理商
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